供应士兰微SD6953外置BJT
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该类方案主要以士兰微电子AC-DC产品为主控芯片,以手机充电器、DVD电源、DVB适配器及PC电源设计为主要应用方向。主芯片SD484X系列特性。
内置PWM控制电路和高压功率MOSFET。相对于控制电路和功率MOSFET分立来说,降低了成本,提高了电路的性。
MOSFET的导通电阻较大值规格分别有:16.8欧姆、9.6欧姆、6.0欧姆、4.8欧姆、3.6欧姆。对应的峰值电流较大值为:0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根据实际芯片所需的输出功率进行选择。
主芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI,较率可以达到80%以上。
启动电压和输出电压均可调节,目前电路可以提供的功率范围为:窄电压范围5~18W,宽电压范围7~21W。
内置的15ms软启动电路,减小了主芯片启动时变压器的应力。
主芯片的开关频率为67KHz,振荡产生的频率抖动,可以降低EMI。
在待机模式下,主芯片进入打嗝模式,从而有效地降低主芯片的待机功耗。
主芯片内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定,过压保护,脉冲前沿消隐,过流保护和温度保护功能。在主芯片发生保护以后,芯片可以不断自动重启,直到系统正常为止。
我司长期供应场效应管
1.POWER MOSFE :CS1N60A1H,CS1N60A3H CS1N60A4H CS2N60A3HY,CS2N60A4H CS2N60FA9H CS4N60A3H,CS4N60A4H CS4N60FA9H CS5N60A3H CS5N60FA9H CS5N60A8H CS5N60A4H CS6N60A4H CS6N60A3H CS6N60FA9H,CS7N60FA9H CS7N60A8H,CS8N60FAH CS8N60A8H CS10N60A8H CS10N60FA9H CS12N60FA9H CS12N60A8H CS20N60FA9H CS20N60A8H CS20N60AN CS630,CS634,
CS640,CS730,CS740,CSZ44V,CS75NF75 CS8N60 CS10N60 CS12N60 CS20N60 CS15N60
2、功率开关晶体管: 3DD13001,3DD13002,3DD13003,3DD13005,3DD13007,3DD13009
3、中频晶体管:3CA8772,3CA882,3DG5551
4、肖特基二极管:2CZ2040,2CZ2045,2CZ3045,2CZ10100,2CZ10200,2CZ20100,2CZ20200 2CZ3045 2CZ30150.MBR2045 BMR3045 MBR10100 MBR10200 MBR20100 MBR3045 MBR30100 MBR30200
可用于电源适配器和充电器的开关电路及LED电源